APT75GP120B2G

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Herstellerteil

APT75GP120B2G

Hersteller
Roving Networks / Microchip Technology
Beschreibung
IGBT 1200V 100A 1042W TMAX
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - igbts - einzeln
Serie
-
Auf Lager
2442
Datenblätter online
APT75GP120B2G PDF
Anfrage
  • Serie:POWER MOS 7®
  • Paket:Tube
  • Teilstatus:Active
  • igbt-Typ:PT
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):1200 V
  • Strom - Kollektor (ic) (max):100 A
  • Strom - Kollektor gepulst (icm):300 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:3.9V @ 15V, 75A
  • Leistung max:1042 W
  • Schaltenergie:1620µJ (on), 2500µJ (off)
  • Eingabetyp:Standard
  • Gate-Gebühr:320 nC
  • td (ein/aus) bei 25 °c:20ns/163ns
  • Testbedingung:600V, 75A, 5Ohm, 15V
  • Rückwärtserholzeit (trr):-
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Paket / Koffer:TO-247-3 Variant
  • Gerätepaket des Lieferanten:-
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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