FGH75T65SQDNL4

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Herstellerteil

FGH75T65SQDNL4

Hersteller
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Beschreibung
650V/75 FAST IGBT FSIII T
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - igbts - einzeln
Serie
-
Auf Lager
441
Datenblätter online
FGH75T65SQDNL4 PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tube
  • Teilstatus:Active
  • igbt-Typ:Trench Field Stop
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):650 V
  • Strom - Kollektor (ic) (max):200 A
  • Strom - Kollektor gepulst (icm):200 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.1V @ 15V, 75A
  • Leistung max:375 W
  • Schaltenergie:1.25mJ (on), 1.26mJ (off)
  • Eingabetyp:Standard
  • Gate-Gebühr:152 nC
  • td (ein/aus) bei 25 °c:44ns/208ns
  • Testbedingung:400V, 75A, 10Ohm, 15V
  • Rückwärtserholzeit (trr):134 ns
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Paket / Koffer:TO-247-4
  • Gerätepaket des Lieferanten:TO-247-4L
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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