RGS60TS65HRC11

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Herstellerteil

RGS60TS65HRC11

Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT.
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - igbts - einzeln
Serie
-
Auf Lager
445
Datenblätter online
-
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tube
  • Teilstatus:Active
  • igbt-Typ:Trench Field Stop
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):650 V
  • Strom - Kollektor (ic) (max):56 A
  • Strom - Kollektor gepulst (icm):90 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.1V @ 15V, 30A
  • Leistung max:223 W
  • Schaltenergie:660µJ (on), 810µJ (off)
  • Eingabetyp:Standard
  • Gate-Gebühr:36 nC
  • td (ein/aus) bei 25 °c:28ns/104ns
  • Testbedingung:400V, 30A, 10Ohm, 15V
  • Rückwärtserholzeit (trr):-
  • Betriebstemperatur:-40°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Paket / Koffer:TO-247-3
  • Gerätepaket des Lieferanten:TO-247N
Versand Lieferzeitraum Bei vorrätigen Teilen werden Bestellungen voraussichtlich in 3 Tagen versandt.
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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