Name: GT30J121(Q)
Brand: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
SKU: GT30J121(Q)
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Herstellerteil: GT30J121(Q)

Hersteller: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Beschreibung: IGBT 600V 30A 170W TO3PN

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - igbts - einzeln

Serie: -

Auf Lager: 0

Datenblätter online: -

GT30J121(Q) Notiz

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Paket:Tube
Teilstatus:Active
igbt-Typ:-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):600 V
Strom - Kollektor (ic) (max):30 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):60 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2.45V @ 15V, 30A
Leistung max:170 W
Schaltenergie:1mJ (on), 800µJ (off)

Eingabetyp:Standard
Gate-Gebühr:-
td (ein/aus) bei 25 °c:90ns/300ns
Testbedingung:300V, 30A, 24Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):-
Betriebstemperatur:-
Befestigungsart:Through Hole
Paket / Koffer:TO-3P-3, SC-65-3
Gerätepaket des Lieferanten:TO-3P(N)

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