Name: RGTH00TS65DGC11
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: RGTH00TS65DGC11
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Herstellerteil: RGTH00TS65DGC11

Hersteller: ROHM Semiconductor

Beschreibung: IGBT 650V 85A 277W TO-247N

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - igbts - einzeln

Serie: -

Auf Lager: 9

Datenblätter online: RGTH00TS65DGC11 PDF

RGTH00TS65DGC11 Notiz

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Serie:-
Paket:Tube
Teilstatus:Active
igbt-Typ:Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):650 V
Strom - Kollektor (ic) (max):85 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):200 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2.1V @ 15V, 50A
Leistung max:277 W
Schaltenergie:-

Eingabetyp:Standard
Gate-Gebühr:94 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:39ns/143ns
Testbedingung:400V, 50A, 10Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):54 ns
Betriebstemperatur:-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Paket / Koffer:TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten:TO-247N

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