Name: RGTVX6TS65DGC11
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: RGTVX6TS65DGC11
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Herstellerteil: RGTVX6TS65DGC11

Hersteller: ROHM Semiconductor

Beschreibung: IGBT

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - igbts - einzeln

Serie: -

Auf Lager: 0

Datenblätter online: -

RGTVX6TS65DGC11 Notiz

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Serie:-
Paket:Tube
Teilstatus:Active
igbt-Typ:Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):650 V
Strom - Kollektor (ic) (max):144 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):320 A
vce(on) (max) @ vge, ic:1.9V @ 15V, 80A
Leistung max:404 W
Schaltenergie:2.65mJ (on), 1.8mJ (off)

Eingabetyp:Standard
Gate-Gebühr:171 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:45ns/201ns
Testbedingung:400V, 80A, 10Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):109 ns
Betriebstemperatur:-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Paket / Koffer:TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten:TO-247N

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