Name: RGT8NS65DGC9
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: RGT8NS65DGC9
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Herstellerteil: RGT8NS65DGC9

Hersteller: ROHM Semiconductor

Beschreibung: IGBT

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - igbts - einzeln

Serie: -

Auf Lager: 1000

Datenblätter online: -

RGT8NS65DGC9 Notiz

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Serie:-
Paket:Tube
Teilstatus:Active
igbt-Typ:Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):650 V
Strom - Kollektor (ic) (max):8 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):12 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2.1V @ 15V, 4A
Leistung max:65 W
Schaltenergie:-

Eingabetyp:Standard
Gate-Gebühr:13.5 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:17ns/69ns
Testbedingung:400V, 4A, 50Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):40 ns
Betriebstemperatur:-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Paket / Koffer:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Gerätepaket des Lieferanten:TO-262

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