STGWT40H65DFB

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Herstellerteil

STGWT40H65DFB

Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - igbts - einzeln
Serie
-
Auf Lager
21957
Datenblätter online
STGWT40H65DFB PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tube
  • Teilstatus:Active
  • igbt-Typ:Trench Field Stop
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):650 V
  • Strom - Kollektor (ic) (max):80 A
  • Strom - Kollektor gepulst (icm):160 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2V @ 15V, 40A
  • Leistung max:283 W
  • Schaltenergie:498µJ (on), 363µJ (off)
  • Eingabetyp:Standard
  • Gate-Gebühr:210 nC
  • td (ein/aus) bei 25 °c:40ns/142ns
  • Testbedingung:400V, 40A, 5Ohm, 15V
  • Rückwärtserholzeit (trr):62 ns
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Paket / Koffer:TO-3P-3, SC-65-3
  • Gerätepaket des Lieferanten:TO-3P
Versand Lieferzeitraum Bei vorrätigen Teilen werden Bestellungen voraussichtlich in 3 Tagen versandt.
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Rückgabe / Garantie Rückkehr Rücksendungen werden normalerweise akzeptiert, wenn sie innerhalb von 30 Tagen ab Versanddatum abgeschlossen sind. Bitte wenden Sie sich an den Kundendienst, um eine Rücksendegenehmigung zu erhalten.
Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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