NGB8207BNT4G

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Herstellerteil

NGB8207BNT4G

Hersteller
Rochester Electronics
Beschreibung
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - igbts - einzeln
Serie
-
Auf Lager
1600
Datenblätter online
NGB8207BNT4G PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Obsolete
  • igbt-Typ:-
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):365 V
  • Strom - Kollektor (ic) (max):20 A
  • Strom - Kollektor gepulst (icm):50 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.6V @ 4V, 20A
  • Leistung max:165 W
  • Schaltenergie:-
  • Eingabetyp:Logic
  • Gate-Gebühr:-
  • td (ein/aus) bei 25 °c:-
  • Testbedingung:-
  • Rückwärtserholzeit (trr):-
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Gerätepaket des Lieferanten:D2PAK
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Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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