NGTB25N120SWG

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Herstellerteil

NGTB25N120SWG

Hersteller
Rochester Electronics
Beschreibung
IGBT
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - igbts - einzeln
Serie
-
Auf Lager
1290
Datenblätter online
NGTB25N120SWG PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tube
  • Teilstatus:Obsolete
  • igbt-Typ:Trench
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):1.2 V
  • Strom - Kollektor (ic) (max):50 A
  • Strom - Kollektor gepulst (icm):100 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.4V @ 15V, 25A
  • Leistung max:385 W
  • Schaltenergie:1.95mJ (on), 600µJ (off)
  • Eingabetyp:Standard
  • Gate-Gebühr:178 nC
  • td (ein/aus) bei 25 °c:87ns/179ns
  • Testbedingung:600V, 25A, 10Ohm, 15V
  • Rückwärtserholzeit (trr):154 ns
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Paket / Koffer:TO-247-3
  • Gerätepaket des Lieferanten:TO-247-3
Versand Lieferzeitraum Bei vorrätigen Teilen werden Bestellungen voraussichtlich in 3 Tagen versandt.
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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