NXPSC166506Q

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Herstellerteil

NXPSC166506Q

Hersteller
WeEn Semiconductors Co., Ltd
Beschreibung
SILICON CARBIDE POWER DIODE
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Dioden - Gleichrichter - einzeln
Serie
-
Auf Lager
2970
Datenblätter online
-
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tube
  • Teilstatus:Active
  • Diodentyp:Silicon Carbide Schottky
  • spannung - dc umgekehrt (vr) (max):650 V
  • Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (io):16A
  • Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if:1.7 V @ 16 A
  • Geschwindigkeit:No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Rückwärtserholzeit (trr):0 ns
  • Strom - Rückwärtsleckage @ vr:100 µA @ 650 V
  • Kapazität @ vr, f:534pF @ 1V, 1MHz
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Paket / Koffer:TO-220-2
  • Gerätepaket des Lieferanten:TO-220AC
  • Betriebstemperatur - Sperrschicht:175°C (Max)
Versand Lieferzeitraum Bei vorrätigen Teilen werden Bestellungen voraussichtlich in 3 Tagen versandt.
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Rückgabe / Garantie Rückkehr Rücksendungen werden normalerweise akzeptiert, wenn sie innerhalb von 30 Tagen ab Versanddatum abgeschlossen sind. Bitte wenden Sie sich an den Kundendienst, um eine Rücksendegenehmigung zu erhalten.
Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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