WNSC101200Q

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Herstellerteil

WNSC101200Q

Hersteller
WeEn Semiconductors Co., Ltd
Beschreibung
SILICON CARBIDE POWER DIODE
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Dioden - Gleichrichter - einzeln
Serie
-
Auf Lager
2980
Datenblätter online
-
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tube
  • Teilstatus:Active
  • Diodentyp:Silicon Carbide Schottky
  • spannung - dc umgekehrt (vr) (max):1200 V
  • Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (io):10A
  • Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if:1.6 V @ 10 A
  • Geschwindigkeit:No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Rückwärtserholzeit (trr):0 ns
  • Strom - Rückwärtsleckage @ vr:110 µA @ 1200 V
  • Kapazität @ vr, f:510pF @ 1V, 1MHz
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Paket / Koffer:TO-220-2
  • Gerätepaket des Lieferanten:TO-220AC
  • Betriebstemperatur - Sperrschicht:175°C (Max)
Versand Lieferzeitraum Bei vorrätigen Teilen werden Bestellungen voraussichtlich in 3 Tagen versandt.
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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