MT3S113P(TE12L,F)

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Herstellerteil

MT3S113P(TE12L,F)

Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Beschreibung
RF TRANS NPN 5.3V 7.7GHZ PW-MINI
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - bipolar (bjt) - rf
Serie
-
Auf Lager
1818
Datenblätter online
MT3S113P(TE12L,F) PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Active
  • Transistortyp:NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):5.3V
  • Frequenz - Übergang:7.7GHz
  • Rauschzahl (db typ @ f):1.45dB @ 1GHz
  • gewinnen:10.5dB
  • Leistung max:1.6W
  • Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:200 @ 30mA, 5V
  • Strom - Kollektor (ic) (max):100mA
  • Betriebstemperatur:150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:TO-243AA
  • Gerätepaket des Lieferanten:PW-MINI
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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