MT3S111TU,LF

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Herstellerteil

MT3S111TU,LF

Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Beschreibung
RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - bipolar (bjt) - rf
Serie
-
Auf Lager
3372
Datenblätter online
-
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Active
  • Transistortyp:NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):6V
  • Frequenz - Übergang:10GHz
  • Rauschzahl (db typ @ f):0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz
  • gewinnen:12.5dB
  • Leistung max:800mW
  • Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:200 @ 30mA, 5V
  • Strom - Kollektor (ic) (max):100mA
  • Betriebstemperatur:150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:3-SMD, Flat Lead
  • Gerätepaket des Lieferanten:UFM
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Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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