BFU660F,115

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Herstellerteil

BFU660F,115

Hersteller
NXP Semiconductors
Beschreibung
RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4DFP
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - bipolar (bjt) - rf
Serie
-
Auf Lager
5949
Datenblätter online
BFU660F,115 PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Active
  • Transistortyp:NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):5.5V
  • Frequenz - Übergang:21GHz
  • Rauschzahl (db typ @ f):0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
  • gewinnen:12dB ~ 21dB
  • Leistung max:225mW
  • Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:90 @ 10mA, 2V
  • Strom - Kollektor (ic) (max):60mA
  • Betriebstemperatur:150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:SOT-343F
  • Gerätepaket des Lieferanten:4-DFP
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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