BFP182WE6327

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Herstellerteil

BFP182WE6327

Hersteller
Rochester Electronics
Beschreibung
RF TRANSISTOR, L BAND, NPN
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - bipolar (bjt) - rf
Serie
-
Auf Lager
27000
Datenblätter online
-
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Active
  • Transistortyp:NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):12V
  • Frequenz - Übergang:8GHz
  • Rauschzahl (db typ @ f):0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
  • gewinnen:22dB
  • Leistung max:250mW
  • Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:70 @ 10mA, 8V
  • Strom - Kollektor (ic) (max):35mA
  • Betriebstemperatur:150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:SC-82A, SOT-343
  • Gerätepaket des Lieferanten:PG-SOT343-4
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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