55GN01MA-TL-E

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Herstellerteil

55GN01MA-TL-E

Hersteller
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Beschreibung
RF TRANS NPN 10V 5.5GHZ 3MCP
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - bipolar (bjt) - rf
Serie
-
Auf Lager
2147483647
Datenblätter online
55GN01MA-TL-E PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Active
  • Transistortyp:NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):10V
  • Frequenz - Übergang:4.5GHz ~ 5.5GHz
  • Rauschzahl (db typ @ f):1.9dB @ 1GHz
  • gewinnen:10dB @ 1GHz
  • Leistung max:400mW
  • Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:100 @ 10mA, 5V
  • Strom - Kollektor (ic) (max):70mA
  • Betriebstemperatur:150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:SC-70, SOT-323
  • Gerätepaket des Lieferanten:3-MCP
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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