2SA1669-TB-E

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Herstellerteil

2SA1669-TB-E

Hersteller
Rochester Electronics
Beschreibung
PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - bipolar (bjt) - rf
Serie
-
Auf Lager
0
Datenblätter online
-
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Active
  • Transistortyp:PNP
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):15V
  • Frequenz - Übergang:3GHz
  • Rauschzahl (db typ @ f):2dB @ 900MHz
  • gewinnen:5dB
  • Leistung max:250mW
  • Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:15 @ 5mA, 10V
  • Strom - Kollektor (ic) (max):50mA
  • Betriebstemperatur:-
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Gerätepaket des Lieferanten:3-CP
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