BLF6G10LS-160RN112

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Herstellerteil

BLF6G10LS-160RN112

Hersteller
Rochester Electronics
Beschreibung
RF POWER TRANSISTORS
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - bipolar (bjt) - rf
Serie
-
Auf Lager
20
Datenblätter online
-
Anfrage
  • Serie:*
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Active
  • Transistortyp:-
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):-
  • Frequenz - Übergang:-
  • Rauschzahl (db typ @ f):-
  • gewinnen:-
  • Leistung max:-
  • Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:-
  • Strom - Kollektor (ic) (max):-
  • Betriebstemperatur:-
  • Befestigungsart:-
  • Paket / Koffer:-
  • Gerätepaket des Lieferanten:-
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