BFR181WH6327XTSA1

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Herstellerteil

BFR181WH6327XTSA1

Hersteller
IR (Infineon Technologies)
Beschreibung
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - bipolar (bjt) - rf
Serie
-
Auf Lager
19051
Datenblätter online
BFR181WH6327XTSA1 PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Active
  • Transistortyp:NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):12V
  • Frequenz - Übergang:8GHz
  • Rauschzahl (db typ @ f):0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
  • gewinnen:19dB
  • Leistung max:175mW
  • Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:70 @ 5mA, 8V
  • Strom - Kollektor (ic) (max):20mA
  • Betriebstemperatur:150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:SC-70, SOT-323
  • Gerätepaket des Lieferanten:PG-SOT323-3
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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