A2G26H281-04SR3

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Herstellerteil

A2G26H281-04SR3

Hersteller
NXP Semiconductors
Beschreibung
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - HF
Serie
-
Auf Lager
0
Datenblätter online
A2G26H281-04SR3 PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tape & Reel (TR)
  • Teilstatus:Active
  • Transistortyp:LDMOS
  • Frequenz:2.496GHz ~ 2.69GHz
  • gewinnen:14.2dB
  • Spannung - testen:48 V
  • Nennstrom (Ampere):-
  • Rauschzahl:-
  • Aktueller Test:150 mA
  • Leistung:50W
  • Spannung - bewertet:125 V
  • Paket / Koffer:NI-780S-4L
  • Gerätepaket des Lieferanten:NI-780S-4L
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