A3T18H455W23SR6

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Herstellerteil

A3T18H455W23SR6

Hersteller
NXP Semiconductors
Beschreibung
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - HF
Serie
-
Auf Lager
0
Datenblätter online
A3T18H455W23SR6 PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tape & Reel (TR)
  • Teilstatus:Active
  • Transistortyp:LDMOS (Dual)
  • Frequenz:1.805GHz ~ 1.88GHz
  • gewinnen:16.7dB
  • Spannung - testen:30 V
  • Nennstrom (Ampere):10µA
  • Rauschzahl:-
  • Aktueller Test:600 mA
  • Leistung:192W
  • Spannung - bewertet:65 V
  • Paket / Koffer:ACP-1230S-4L2S
  • Gerätepaket des Lieferanten:ACP-1230S-4L2S
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