MRF8P20165WHSR5

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Herstellerteil

MRF8P20165WHSR5

Hersteller
Rochester Electronics
Beschreibung
FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780S4
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - HF
Serie
-
Auf Lager
39
Datenblätter online
MRF8P20165WHSR5 PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Obsolete
  • Transistortyp:LDMOS (Dual)
  • Frequenz:1.88GHz ~ 2.025GHz
  • gewinnen:14.8dB
  • Spannung - testen:28 V
  • Nennstrom (Ampere):10µA
  • Rauschzahl:-
  • Aktueller Test:550 mA
  • Leistung:37W
  • Spannung - bewertet:65 V
  • Paket / Koffer:NI-780S-4
  • Gerätepaket des Lieferanten:NI-780S-4
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