NE55410GR-T3-AZ

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Herstellerteil

NE55410GR-T3-AZ

Hersteller
Rochester Electronics
Beschreibung
RF POWER N-CHANNEL, MOSFET
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - HF
Serie
-
Auf Lager
36571
Datenblätter online
NE55410GR-T3-AZ PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Obsolete
  • Transistortyp:LDMOS
  • Frequenz:2.14GHz
  • gewinnen:13.5dB
  • Spannung - testen:28 V
  • Nennstrom (Ampere):250mA, 1A
  • Rauschzahl:-
  • Aktueller Test:20 mA
  • Leistung:35.4dBm
  • Spannung - bewertet:65 V
  • Paket / Koffer:16-DFF, Exposed Pad
  • Gerätepaket des Lieferanten:16-HTSSOP
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Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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