BLF8G10LS-160,112

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Herstellerteil

BLF8G10LS-160,112

Hersteller
Rochester Electronics
Beschreibung
RF PFET, 1-ELEMENT, ULTRA HIGH F
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - HF
Serie
-
Auf Lager
4
Datenblätter online
BLF8G10LS-160,112 PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tube
  • Teilstatus:Active
  • Transistortyp:LDMOS
  • Frequenz:920MHz ~ 960MHz
  • gewinnen:19.7dB
  • Spannung - testen:30 V
  • Nennstrom (Ampere):5µA
  • Rauschzahl:-
  • Aktueller Test:1.1 A
  • Leistung:35W
  • Spannung - bewertet:65 V
  • Paket / Koffer:SOT-502B
  • Gerätepaket des Lieferanten:SOT502B
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