DD800S17H4B2BOSA2

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Herstellerteil

DD800S17H4B2BOSA2

Hersteller
IR (Infineon Technologies)
Beschreibung
DIODE MODUL GP 1700V AGIHMB130-1
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Dioden - Gleichrichter - Arrays
Serie
-
Auf Lager
0
Datenblätter online
DD800S17H4B2BOSA2 PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tray
  • Teilstatus:Active
  • Diodenkonfiguration:2 Independent
  • Diodentyp:Standard
  • spannung - dc umgekehrt (vr) (max):1700 V
  • Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (io) (pro Diode):-
  • Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if:2.1 V @ 800 A
  • Geschwindigkeit:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Rückwärtserholzeit (trr):-
  • Strom - Rückwärtsleckage @ vr:900 A @ 900 V
  • Betriebstemperatur - Sperrschicht:-40°C ~ 150°C
  • Befestigungsart:Chassis Mount
  • Paket / Koffer:Module
  • Gerätepaket des Lieferanten:AG-IHMB130-1
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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