J112-D26Z

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Herstellerteil

J112-D26Z

Hersteller
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Beschreibung
JFET N-CH 35V 625MW TO92-3
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - JFETs
Serie
-
Auf Lager
919350
Datenblätter online
J112-D26Z PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:N-Channel
  • Spannung - Durchbruch (v(br)gss):35 V
  • Drain-Source-Spannung (vdss):-
  • Strom - Drain (idss) @ vds (vgs=0):5 mA @ 15 V
  • Stromaufnahme (id) - max:-
  • Spannung - Cutoff (vgs aus) @ id:1 V @ 1 µA
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:-
  • Widerstand - rds(on):50 Ohms
  • Leistung max:625 mW
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Paket / Koffer:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Gerätepaket des Lieferanten:TO-92-3
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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