MMBFJ111

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Herstellerteil

MMBFJ111

Hersteller
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Beschreibung
JFET N-CH 35V 350MW SOT23-3
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - JFETs
Serie
-
Auf Lager
756000
Datenblätter online
MMBFJ111 PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:N-Channel
  • Spannung - Durchbruch (v(br)gss):35 V
  • Drain-Source-Spannung (vdss):-
  • Strom - Drain (idss) @ vds (vgs=0):20 mA @ 15 V
  • Stromaufnahme (id) - max:-
  • Spannung - Cutoff (vgs aus) @ id:3 V @ 1 µA
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:-
  • Widerstand - rds(on):30 Ohms
  • Leistung max:350 mW
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Gerätepaket des Lieferanten:SOT-23-3
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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