2SK879-GR(TE85L,F)

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Herstellerteil

2SK879-GR(TE85L,F)

Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Beschreibung
JFET N-CH 0.1W USM
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - JFETs
Serie
-
Auf Lager
3000
Datenblätter online
2SK879-GR(TE85L,F) PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:N-Channel
  • Spannung - Durchbruch (v(br)gss):-
  • Drain-Source-Spannung (vdss):-
  • Strom - Drain (idss) @ vds (vgs=0):2.6 mA @ 10 V
  • Stromaufnahme (id) - max:-
  • Spannung - Cutoff (vgs aus) @ id:400 mV @ 100 nA
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:8.2pF @ 10V
  • Widerstand - rds(on):-
  • Leistung max:100 mW
  • Betriebstemperatur:125°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:SC-70, SOT-323
  • Gerätepaket des Lieferanten:USM
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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