PMBFJ112,215

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Herstellerteil

PMBFJ112,215

Hersteller
Rochester Electronics
Beschreibung
PMBFJ112 - N-CHANNEL FET
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - JFETs
Serie
-
Auf Lager
0
Datenblätter online
PMBFJ112,215 PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:N-Channel
  • Spannung - Durchbruch (v(br)gss):40 V
  • Drain-Source-Spannung (vdss):40 V
  • Strom - Drain (idss) @ vds (vgs=0):5 mA @ 15 V
  • Stromaufnahme (id) - max:-
  • Spannung - Cutoff (vgs aus) @ id:5 V @ 1 µA
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:6pF @ 10V (VGS)
  • Widerstand - rds(on):50 Ohms
  • Leistung max:300 mW
  • Betriebstemperatur:150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Gerätepaket des Lieferanten:SOT-23 (TO-236AB)
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Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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