J112

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Herstellerteil

J112

Hersteller
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Beschreibung
JFET N-CH 35V 625MW TO92
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - JFETs
Serie
-
Auf Lager
27300
Datenblätter online
J112 PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:N-Channel
  • Spannung - Durchbruch (v(br)gss):35 V
  • Drain-Source-Spannung (vdss):-
  • Strom - Drain (idss) @ vds (vgs=0):5 mA @ 15 V
  • Stromaufnahme (id) - max:-
  • Spannung - Cutoff (vgs aus) @ id:1 V @ 1 µA
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:-
  • Widerstand - rds(on):50 Ohms
  • Leistung max:625 mW
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Paket / Koffer:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Gerätepaket des Lieferanten:TO-92-3
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Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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