SQ4961EY-T1_GE3

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Herstellerteil

SQ4961EY-T1_GE3

Hersteller
Vishay / Siliconix
Beschreibung
MOSFET DUAL P-CHAN 60V SO8
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Serie
-
Auf Lager
628
Datenblätter online
SQ4961EY-T1_GE3 PDF
Anfrage
  • Serie:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:2 P-Channel (Dual)
  • fet-Funktion:Standard
  • Drain-Source-Spannung (vdss):60V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:4.4A (Tc)
  • rds auf (max) @ id, vgs:85mOhm @ 3.5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 250µA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:40nC @ 10V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1140pF @ 25V
  • Leistung max:3.3W
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Gerätepaket des Lieferanten:8-SO
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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