BSC150N03LDGATMA1

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Herstellerteil

BSC150N03LDGATMA1

Hersteller
IR (Infineon Technologies)
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Serie
-
Auf Lager
16775
Datenblätter online
BSC150N03LDGATMA1 PDF
Anfrage
  • Serie:OptiMOS™
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:2 N-Channel (Dual)
  • fet-Funktion:Logic Level Gate
  • Drain-Source-Spannung (vdss):30V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:8A
  • rds auf (max) @ id, vgs:15mOhm @ 20A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.2V @ 250µA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:13.2nC @ 10V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1100pF @ 15V
  • Leistung max:26W
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:8-PowerVDFN
  • Gerätepaket des Lieferanten:PG-TDSON-8-4
Versand Lieferzeitraum Bei vorrätigen Teilen werden Bestellungen voraussichtlich in 3 Tagen versandt.
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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