NVMFD5877NLT3G

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Herstellerteil

NVMFD5877NLT3G

Hersteller
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Serie
-
Auf Lager
0
Datenblätter online
NVMFD5877NLT3G PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tape & Reel (TR)
  • Teilstatus:Not For New Designs
  • fet-Typ:2 N-Channel (Dual)
  • fet-Funktion:Logic Level Gate
  • Drain-Source-Spannung (vdss):60V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:6A
  • rds auf (max) @ id, vgs:39mOhm @ 7.5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3V @ 250µA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:20nC @ 10V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:540pF @ 25V
  • Leistung max:3.2W
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:8-PowerTDFN
  • Gerätepaket des Lieferanten:8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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