SI5517DU-T1-GE3

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Herstellerteil

SI5517DU-T1-GE3

Hersteller
Vishay / Siliconix
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Serie
-
Auf Lager
123
Datenblätter online
SI5517DU-T1-GE3 PDF
Anfrage
  • Serie:TrenchFET®
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:N and P-Channel
  • fet-Funktion:Logic Level Gate
  • Drain-Source-Spannung (vdss):20V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:6A
  • rds auf (max) @ id, vgs:39mOhm @ 4.4A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id:1V @ 250µA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:16nC @ 8V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:520pF @ 10V
  • Leistung max:8.3W
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:PowerPAK® ChipFET™ Dual
  • Gerätepaket des Lieferanten:PowerPAK® ChipFet Dual
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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