NVDD5894NLT4G

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Herstellerteil

NVDD5894NLT4G

Hersteller
Rochester Electronics
Beschreibung
N-CHANNEL, MOSFET
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Serie
-
Auf Lager
2500
Datenblätter online
NVDD5894NLT4G PDF
Anfrage
  • Serie:Automotive, AEC-Q101
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • fet-Funktion:Standard
  • Drain-Source-Spannung (vdss):40V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:14A (Ta), 64A (Tc)
  • rds auf (max) @ id, vgs:10mOhm @ 50A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 250µA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:41nC @ 10V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:2103pF @ 25V
  • Leistung max:3.8W (Ta), 75W (Tc)
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
  • Gerätepaket des Lieferanten:DPAK-5
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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