EFC2J013NUZTDG

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Herstellerteil

EFC2J013NUZTDG

Hersteller
Rochester Electronics
Beschreibung
DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 12V,
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Serie
-
Auf Lager
3964
Datenblätter online
EFC2J013NUZTDG PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • fet-Funktion:Standard
  • Drain-Source-Spannung (vdss):-
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:-
  • rds auf (max) @ id, vgs:-
  • vgs(th) (max) @ id:1.3V @ 1mA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:37nC @ 4.5V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:-
  • Leistung max:1.8W (Ta)
  • Betriebstemperatur:150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:6-SMD, No Lead
  • Gerätepaket des Lieferanten:6-WLCSP (2x1.49)
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Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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