EFC3J018NUZTDG

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Herstellerteil

EFC3J018NUZTDG

Hersteller
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 23A 6WLCSP
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Serie
-
Auf Lager
0
Datenblätter online
EFC3J018NUZTDG PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tape & Reel (TR)
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • fet-Funktion:Logic Level Gate, 2.5V Drive
  • Drain-Source-Spannung (vdss):20V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:23A (Ta)
  • rds auf (max) @ id, vgs:4.7mOhm @ 5A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id:1.3V @ 1mA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:75nC @ 4.5V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:-
  • Leistung max:2.5W (Ta)
  • Betriebstemperatur:150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:6-XFBGA, WLCSP
  • Gerätepaket des Lieferanten:6-WLCSP (1.77x3.05)
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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