SSM6L16FETE85LF

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Herstellerteil

SSM6L16FETE85LF

Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Serie
-
Auf Lager
79
Datenblätter online
SSM6L16FETE85LF PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Not For New Designs
  • fet-Typ:N and P-Channel
  • fet-Funktion:Standard
  • Drain-Source-Spannung (vdss):20V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:100mA
  • rds auf (max) @ id, vgs:3Ohm @ 10mA, 4V
  • vgs(th) (max) @ id:1.1V @ 0.1mA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:-
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:9.3pF @ 3V
  • Leistung max:150mW
  • Betriebstemperatur:150°C (TA)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:SOT-563, SOT-666
  • Gerätepaket des Lieferanten:ES6 (1.6x1.6)
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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