SISF20DN-T1-GE3

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Herstellerteil

SISF20DN-T1-GE3

Hersteller
Vishay / Siliconix
Beschreibung
MOSFET DL N-CH 60V PPK 1212-8SCD
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Serie
-
Auf Lager
24
Datenblätter online
-
Anfrage
  • Serie:TrenchFET® Gen IV
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:2 N-Channel (Dual)
  • fet-Funktion:Standard
  • Drain-Source-Spannung (vdss):60V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:14A (Ta), 52A (Tc)
  • rds auf (max) @ id, vgs:13mOhm @ 7A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3V @ 250µA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:33nC @ 10V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1290pF @ 30V
  • Leistung max:5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:PowerPAK® 1212-8SCD
  • Gerätepaket des Lieferanten:PowerPAK® 1212-8SCD
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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