APTM120H29FG

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Herstellerteil

APTM120H29FG

Hersteller
Roving Networks / Microchip Technology
Beschreibung
MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Serie
-
Auf Lager
0
Datenblätter online
APTM120H29FG PDF
Anfrage
  • Serie:POWER MOS 7®
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:4 N-Channel (H-Bridge)
  • fet-Funktion:Standard
  • Drain-Source-Spannung (vdss):1200V (1.2kV)
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:34A
  • rds auf (max) @ id, vgs:348mOhm @ 17A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:5V @ 5mA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:374nC @ 10V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:10300pF @ 25V
  • Leistung max:780W
  • Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Chassis Mount
  • Paket / Koffer:SP6
  • Gerätepaket des Lieferanten:SP6
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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