TSM200N03DPQ33 RGG

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Herstellerteil

TSM200N03DPQ33 RGG

Hersteller
TSC (Taiwan Semiconductor)
Beschreibung
MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Serie
-
Auf Lager
880
Datenblätter online
TSM200N03DPQ33 RGG PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:2 N-Channel (Dual)
  • fet-Funktion:Standard
  • Drain-Source-Spannung (vdss):30V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:20A (Tc)
  • rds auf (max) @ id, vgs:20mOhm @ 10A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 250µA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:4nC @ 4.5V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:345pF @ 25V
  • Leistung max:20W
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:8-PowerWDFN
  • Gerätepaket des Lieferanten:8-PDFN (3x3)
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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