SQJB60EP-T2_GE3

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Herstellerteil

SQJB60EP-T2_GE3

Hersteller
Vishay / Siliconix
Beschreibung
DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Serie
-
Auf Lager
0
Datenblätter online
-
Anfrage
  • Serie:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • Paket:Tape & Reel (TR)
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:2 N-Channel (Dual)
  • fet-Funktion:Standard
  • Drain-Source-Spannung (vdss):60V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:30A (Tc)
  • rds auf (max) @ id, vgs:12mOhm @ 10A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 250µA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:30nC @ 10V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1600pF @ 25V
  • Leistung max:48W (Tc)
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:PowerPAK® SO-8 Dual
  • Gerätepaket des Lieferanten:PowerPAK® SO-8 Dual
Versand Lieferzeitraum Bei vorrätigen Teilen werden Bestellungen voraussichtlich in 3 Tagen versandt.
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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