NTHD3102CT1G

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Herstellerteil

NTHD3102CT1G

Hersteller
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 1206A
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Serie
-
Auf Lager
21000
Datenblätter online
NTHD3102CT1G PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:N and P-Channel
  • fet-Funktion:Logic Level Gate
  • Drain-Source-Spannung (vdss):20V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:4A, 3.1A
  • rds auf (max) @ id, vgs:45mOhm @ 4.4A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id:1.2V @ 250µA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:7.9nC @ 4.5V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:510pF @ 10V
  • Leistung max:1.1W
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:8-SMD, Flat Lead
  • Gerätepaket des Lieferanten:ChipFET™
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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