SIA519EDJ-T1-GE3

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Herstellerteil

SIA519EDJ-T1-GE3

Hersteller
Vishay / Siliconix
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Serie
-
Auf Lager
1000050
Datenblätter online
SIA519EDJ-T1-GE3 PDF
Anfrage
  • Serie:TrenchFET®
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:N and P-Channel
  • fet-Funktion:Logic Level Gate
  • Drain-Source-Spannung (vdss):20V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:4.5A
  • rds auf (max) @ id, vgs:40mOhm @ 4.2A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id:1.4V @ 250µA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:12nC @ 10V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:350pF @ 10V
  • Leistung max:7.8W
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:PowerPAK® SC-70-6 Dual
  • Gerätepaket des Lieferanten:PowerPAK® SC-70-6 Dual
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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