IPG20N10S4L35AATMA1

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Herstellerteil

IPG20N10S4L35AATMA1

Hersteller
IR (Infineon Technologies)
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Serie
-
Auf Lager
0
Datenblätter online
IPG20N10S4L35AATMA1 PDF
Anfrage
  • Serie:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
  • Paket:Tape & Reel (TR)
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:2 N-Channel (Dual)
  • fet-Funktion:Logic Level Gate
  • Drain-Source-Spannung (vdss):100V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:20A
  • rds auf (max) @ id, vgs:35mOhm @ 17A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.1V @ 16µA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:17.4nC @ 10V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1105pF @ 25V
  • Leistung max:43W
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount, Wettable Flank
  • Paket / Koffer:8-PowerVDFN
  • Gerätepaket des Lieferanten:PG-TDSON-8-10
Versand Lieferzeitraum Bei vorrätigen Teilen werden Bestellungen voraussichtlich in 3 Tagen versandt.
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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