ECH8601M-TL-H

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Herstellerteil

ECH8601M-TL-H

Hersteller
Rochester Electronics
Beschreibung
N-CHANNEL POWER MOSFET
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Serie
-
Auf Lager
12000000
Datenblätter online
ECH8601M-TL-H PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Obsolete
  • fet-Typ:2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • fet-Funktion:Logic Level Gate, 2.5V Drive
  • Drain-Source-Spannung (vdss):24V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:8A (Ta)
  • rds auf (max) @ id, vgs:23mOhm @ 4A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id:1.3V @ 1mA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:7.5nC @ 4.5V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:-
  • Leistung max:-
  • Betriebstemperatur:150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:8-SMD, Flat Lead
  • Gerätepaket des Lieferanten:8-ECH
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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