FF6MR12W2M1B11BOMA1

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Herstellerteil

FF6MR12W2M1B11BOMA1

Hersteller
IR (Infineon Technologies)
Beschreibung
MOSFET MODULE 1200V 200A
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Serie
-
Auf Lager
60
Datenblätter online
-
Anfrage
  • Serie:CoolSiC™+
  • Paket:Tray
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:2 N-Channel (Dual)
  • fet-Funktion:Silicon Carbide (SiC)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):1200V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:200A (Tj)
  • rds auf (max) @ id, vgs:5.63mOhm @ 200A, 15V
  • vgs(th) (max) @ id:5.55V @ 10mA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:496nC @ 15V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:14700pF @ 800V
  • Leistung max:20mW (Tc)
  • Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Chassis Mount
  • Paket / Koffer:Module
  • Gerätepaket des Lieferanten:AG-EASY2BM-2
Versand Lieferzeitraum Bei vorrätigen Teilen werden Bestellungen voraussichtlich in 3 Tagen versandt.
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Rückgabe / Garantie Rückkehr Rücksendungen werden normalerweise akzeptiert, wenn sie innerhalb von 30 Tagen ab Versanddatum abgeschlossen sind. Bitte wenden Sie sich an den Kundendienst, um eine Rücksendegenehmigung zu erhalten.
Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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