ALD212908APAL

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Herstellerteil

ALD212908APAL

Hersteller
Advanced Linear Devices, Inc.
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Serie
-
Auf Lager
0
Datenblätter online
ALD212908APAL PDF
Anfrage
  • Serie:EPAD®, Zero Threshold™
  • Paket:Tube
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:2 N-Channel (Dual) Matched Pair
  • fet-Funktion:Logic Level Gate
  • Drain-Source-Spannung (vdss):10.6V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:80mA
  • rds auf (max) @ id, vgs:-
  • vgs(th) (max) @ id:20mV @ 10µA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:-
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:-
  • Leistung max:500mW
  • Betriebstemperatur:0°C ~ 70°C (TJ)
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Paket / Koffer:8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • Gerätepaket des Lieferanten:8-PDIP
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Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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