EPC2102ENGRT

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Herstellerteil

EPC2102ENGRT

Hersteller
EPC
Beschreibung
GANFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Serie
-
Auf Lager
0
Datenblätter online
EPC2102ENGRT PDF
Anfrage
  • Serie:eGaN®
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Discontinued at Digi-Key
  • fet-Typ:2 N-Channel (Half Bridge)
  • fet-Funktion:GaNFET (Gallium Nitride)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):60V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:23A (Tj)
  • rds auf (max) @ id, vgs:4.4mOhm @ 20A, 5V
  • vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 7mA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:6.8nC @ 5V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:830pF @ 30V
  • Leistung max:-
  • Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:Die
  • Gerätepaket des Lieferanten:Die
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Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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